SJ/T 2085-2016.Polyvinyl chloride insulated flexible wires and cables for interal wiring of equipment.1范围SJ/T 2085规定了聚氯乙烯绝缘安装用柔软电线电缆(以下简称...
SJ/T 1839-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK108.引言本规范适用于3DK108型NPN硅小功率开关晶...
SJ/T 1838-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK29.引言本规范适用于3DK29型NPN硅小功率开关晶体...
SJ/T 1834-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK104.前言本规范按照GB/T 1.1- - 2009给出的规则起草...
SJ/T 2217-2014.Technical specification for phototransistor of silicon.1范围SJ/T 2217规定了硅光电晶体管(以下简称“器件”)光电特性、机械特性和环境性能的...
CB/T 8502-2005 Code of design for longitudinal inclined building berth and slipway.1范围CB/T 8502规定了纵向倾斜船台和以油脂或钢珠作为减少滑行阻力介质的下...
CB/Z 190-96.1范圈1.1 主题内容CB/Z 190规定了潜艇在水面状态,通气管状态及水下状态的实艇快速性试验。1.2 适用范圈CB/Z 190适用于潜艇首制艇或改...
CB/Z 191-96.1范围1.1 主题内容CB/Z 191规定了水面舰艇实艇操纵性试验方法。1.2适用范围CB/Z 191适用于水面舰艇海上实船操纵性试验。2引用标准本...
CB/Z 192-96.1范围1.1 主题内容CB/Z 192规定了潜艇实艇的操纵性试验方法。1.2 适用范围CB/Z 192适用于潜艇在海上的实艇操纵性试验。2引用标准GJ...
CB/Z 193-96.1范围1.1主题内容CB/Z 193规定了水面舰艇实艇的耐波性试验方法。1.2适用范围CB/Z 193适用于水面舰艇的耐波性试验。2引用标准GJB 64....
