SJ 20158规定了半导体集成电路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S-TTL数据选择器(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20157规定了半导体集成电路JT54LS32和JT54LS86型LS- -TTL或门(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20156性技术文件适用于电源的电磁兼容性设计,旨在降低电源的传导和辐射千扰。...
SJ 20155规定了对射频(RF)辐射吸收体(微波吸收材料)的要求,质量保证,交货准备。微波吸收材料在以下简称为RAM。...
SJ 20163规定了半导体集成电路Ju8086型微处理器(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20164规定了探测剂量率为0.02~0.12cGy/h的Y射线及100~1800脱变数/分●厘米²的β射线计数管(简称计数管)的详细要求。...
SJ 20162规定了半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL4位二进制超前进位全加器(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20161规定了半导体集成电路JT54LS273、 JT54LS373、 JT54LS374 和JT54LS377型LS-TTL可级联触发器(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20160规定了半导体集成电路JT54S194 和JT54S195型S-TTL移位寄存器(以下简称器件)的详细要求。...
SJ 20171 半导体分立器件3DK51型功率开关晶体管详细规范...
