GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法

GB/T 5252-2020.Test method for dislocation density of monocrystal germanium. 1范围 GB/T 5252规定了锗单晶位错密度的测试方法。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 8756锗晶体缺陷图谱 GB/T 14264半 导体材料术语 3术语和定义 GB/T 8756和GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法原理 锗单晶中位错周围的晶格会发生畸变,当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时,在晶体表面上的位错露头处腐蚀速度较快,进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的腐蚀坑，单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度。 6仪器设备 6.1 金相显微镜:放大倍数40倍~200倍,能够满足8.2规定的视场面积要求。 6.2 游标卡尺:分度值为0.02 mm。 6.3切削、研磨单晶的设备。 6.4 耐氢氟酸、硝酸等化学药品腐蚀的容器。 7试样制备 7.1定向切取 对待测的锗单晶锭定向后,垂直于锗单晶的生长方向切取测试片试样,其晶向偏离度应不大于2°,厚度宜不小于5 mm。 7.2 研磨 用碳化硅磨料或白刚玉粉研磨试样,使其表面平整，自然光下无目视可见的机械划痕，然后用水清洗后干燥。 7.3化学抛光 用加热至50°C~60°C的抛光液将研磨后的试样抛光30s,至无损伤的光亮表面。 7.4腐蚀 7.4.1 {111} 晶面:将拋光后的试样置于腐蚀液A中煮沸5 min~10 min至镜面,或不经7.3所述的化学抛光,直接在加热至70 °C~80 °C的腐蚀液B中浸泡至镜面。 7.4.2{100}晶面:将拋光后的试样在冷却至10°C士5°C的腐蚀液C中浸泡5min~10min至镜面。 7.4.3 {113} 晶面:将抛光后的试样在冷却至10°C士5 °C的腐蚀液D中浸泡5 min~10 min至镜面。 7.5清洁处理 用加热至40 °C~60 °C流动的热水冲洗试样5 s~10 s,将吸附在试样上的试剂充分洗净并干燥。